7月18日，日本半导体系体例造商Rapidus公布，正式启动了2nmGAA（全环抱栅极）晶体管的试制，并乐成展示了其首块2nmGAA晶圆。这一进展标记着日本于进步前辈制程技能范畴迈出了要害一步，也为将来2nm制程的量产奠基了基础。
据悉，Rapidus首块2nmGAA晶圆直径30厘米， 确认了足以令客户候选满足的运作机能 。这次公然的晶圆仍处在中间阶段，仅包罗部门须要功效。Rapidus规划进一步改善晶体管机能，争夺于年内完成开发。
2nmGAA晶体管原型晶圆图源：Rapidus官网
日本持久以来依靠美国、韩国及台湾地域的半导体供给链，特别是于进步前辈制程芯片方面。Rapidus的2纳米芯片规划旨于打破这一依靠，使日本可以或许于领先节点上实现本土制造。这不仅有助在削减对于外国技能的依靠，还有能加强日本于全世界半导体财产链中的职位地方。
Rapidus由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、Denso、铠侠、三菱UFJ等8家日本企业配合出资建立，方针是开发及出产开始进的半导体工艺。其首坐晶圆厂IIM-1在2023年9月1日奠定，2024年12月完成为了干净室预备，2025年4月1日实现了初始图案的暴光与显影，并于2025年6月完成为了由200多个制造单位组成的出产线。
从技能角度来看，Rapidus的2nm工艺采用了BSPDN及GAA技能，使其于机能及能效方面具备显著上风。这类技能线路的选择使患上Rapidus于进步前辈制程范畴具有必然的怪异性。然而，因为2nm技能仍处在研究阶段，Rapidus面对着良率及靠得住性方面的挑战。
于资金撑持方面，日本当局对于Rapidus提供了年夜量财务撑持。据悉，日本经济财产省核准了对于Rapidus的2025财年资助规划，前端与后端工艺各分患上至高6755亿日元及1270亿日元，多年累计资助总额达1.7225万亿日元。这些资金的注入为Rapidus的2nm工艺研发及量产提供了有力保障。
Rapidus于7月18日进行的新闻发布会图源：Rapidus官网
只管Rapidus于2nm工艺上取患了主要进展，但其量产时间表仍面对必然的不确定性。台积电规划于2025年量产2nm芯片，而Rapidus的方针是2027年实现量产。这象征着Rapidus将比台积电晚两年实现量产。对于此，Rapidus社长小池淳义近期暗示，公司将经由过程采用新的出产方式，从下单到芯片出产及组装的速率可以到达台积电的2-3倍以上，从而经由过程缩短出产时间来实现差异化。
此外，小池淳义还有吐露，Rapidus规划于2nm以后出产下一代1.4nm。
今朝，Rapidus正于踊跃预备其2nm制程的贸易化运用，开发与其2nm工艺兼容的PDK（工艺开发套件），规划于2026年一季度竣事前向客户交付，2027年实现2nm量产。
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